阻容吸收電路可以保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，而由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓則需要采用壓敏電阻來(lái)吸收。因此，如果想要取得全面的保護(hù)措施，最好兩種形式并用。

   阻容吸收回路

   晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí)，和開(kāi)關(guān)電路一樣，因線(xiàn)路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿(mǎn)元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線(xiàn)路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱(chēng)為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取抑制措施。

   阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。

   阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線(xiàn)要短。最好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。

接線(xiàn)方法如圖22～25所示，

壓敏電阻吸收過(guò)電壓

   壓敏電阻標(biāo)稱(chēng)電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。額定電壓V1mA的下限是線(xiàn)路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用1.3倍的余量計(jì)算。

計(jì)算公式如下：V1mA≥1.3√ 2 · U 式中

U——壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。