整流管/可控硅模塊/三相阻容吸收器電路0.47uf，0.22uf，0.1uf

晶閘管模塊阻容吸收器

晶閘管從導通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應電勢L （di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取抑制措施。

阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。

阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。最好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。

電氣原理圖